Name: CSD19537Q3
SKU: CSD19537Q3
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CSD19537Q3

Artikelnummer:

CSD19537Q3

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~CSD19537Q3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD19537Q3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-VSON (3.3x3.3)
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	2.8W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	50A (Ta)
Grundproduktnummer	CSD19537
CSD19537Q3 Einzelheiten PDF [English]	CSD19537Q3 PDF - EN.pdf

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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